Crystal characterization of GaP epilayer grown on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Crystal characterization of GaP epilayer grown on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Zhaochun, Z. / Xiaoyan, Q. / Deliang, C. / Xianggui, K. / Baibiao, H. / Minhua, J.

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Titel:

Crystal characterization of GaP epilayer grown on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Zhaochun, Z. (Autor:in) / Xiaoyan, Q. (Autor:in) / Deliang, C. (Autor:in) / Xianggui, K. (Autor:in) / Baibiao, H. (Autor:in) / Minhua, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 77 ; 24 - 26

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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