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Inert Gas Atomization of Chemical Grade Silicon

Rodrigues, D. / Neto, J. B. F. / Salgado, L. / Nogueira, P. F. / Poco, J. G. R.

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Titel:

Inert Gas Atomization of Chemical Grade Silicon

Beteiligte:

Rodrigues, D. (Autor:in) / Neto, J. B. F. (Autor:in) / Salgado, L. (Autor:in) / Nogueira, P. F. (Autor:in) / Poco, J. G. R. (Autor:in)

Erschienen in:

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 276-281

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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