Self-interstitial migration during ion irradiation of boron delta-doped silicon: Fid-Bau Portal

Self-interstitial migration during ion irradiation of boron delta-doped silicon

Kuznetsov, A. Y. / Leveque, P. / Hallen, A. / Svensson, B. G. / Nylandsted Larsen, A.

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Titel:

Self-interstitial migration during ion irradiation of boron delta-doped silicon

Beteiligte:

Kuznetsov, A. Y. (Autor:in) / Leveque, P. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in) / Nylandsted Larsen, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 279-283

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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