Wurtzite GaN epitaxial growth on Si(111) using silicon nitride as an initial layer: Fid-Bau Portal

Wurtzite GaN epitaxial growth on Si(111) using silicon nitride as an initial layer

Liu, H. / Ye, Z. / Zhang, H. / Zhao, B.

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Titel:

Wurtzite GaN epitaxial growth on Si(111) using silicon nitride as an initial layer

Beteiligte:

Liu, H. (Autor:in) / Ye, Z. (Autor:in) / Zhang, H. (Autor:in) / Zhao, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 35 ; 1837-1842

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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