Investigation of an Ion-Implantation Induced High Temperature Persistent Intrinsic Defect in SiC: Fid-Bau Portal

Investigation of an Ion-Implantation Induced High Temperature Persistent Intrinsic Defect in SiC

Sridhara, S. G. / Carlsson, F. H. C. / Bergman, J. P. / Henry, A. / Janzen, E.

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Titel:

Investigation of an Ion-Implantation Induced High Temperature Persistent Intrinsic Defect in SiC

Beteiligte:

Sridhara, S. G. (Autor:in) / Carlsson, F. H. C. (Autor:in) / Bergman, J. P. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 377-380

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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