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    Titel:

    Characteristics of Epitaxial and Implanted N-Base 4H-SiC GTO Thyristors

    Beteiligte:

    Fedison, J. B. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 739-742

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2001

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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