Luminescence and lasing in GaN epitaxial layers and InGaN/GaN quantum well heterostructures under optical and electron-beam excitation: Fid-Bau Portal

Luminescence and lasing in GaN epitaxial layers and InGaN/GaN quantum well heterostructures under optical and electron-beam excitation

Yablonskii, G. P. / Lutsenko, E. V. / Pavlovskii, V. N. / Marko, I. P. / Schineller, B. / Heuken, M. / Heime, K.

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Yablonskii, G. P. / Lutsenko, E. V. / Pavlovskii, V. N. / Marko, I. P. / Schineller, B. / Heuken, M. / Heime, K.

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Titel:

Luminescence and lasing in GaN epitaxial layers and InGaN/GaN quantum well heterostructures under optical and electron-beam excitation

Beteiligte:

Yablonskii, G. P. (Autor:in) / Lutsenko, E. V. (Autor:in) / Pavlovskii, V. N. (Autor:in) / Marko, I. P. (Autor:in) / Schineller, B. (Autor:in) / Heuken, M. (Autor:in) / Heime, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 80 ; 322 - 326

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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