Effects of dislocations on the luminescence of GaN/InGaN multi-quantum-well light-emitting-diode layers: Fid-Bau Portal

Effects of dislocations on the luminescence of GaN/InGaN multi-quantum-well light-emitting-diode layers

Choi, Y. S. / Park, J. H. / Kim, S. S. / Song, H. J. / Lee, S. H. / Jung, J. J. / Lee, B. T.

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Titel:

Effects of dislocations on the luminescence of GaN/InGaN multi-quantum-well light-emitting-diode layers

Beteiligte:

Choi, Y. S. (Autor:in) / Park, J. H. (Autor:in) / Kim, S. S. (Autor:in) / Song, H. J. (Autor:in) / Lee, S. H. (Autor:in) / Jung, J. J. (Autor:in) / Lee, B. T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 58 ; 2614-2617

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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