Selective doping of conformal GaAs layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates studied by spatially resolved optical techniques: Fid-Bau Portal

Selective doping of conformal GaAs layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates studied by spatially resolved optical techniques

Martinez, O. / Avella, M. / de la Puente, E. / Gonzalez, M. A. / Jimenez, J. / Gerard, B. / Gil-Lafon, E.

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Titel:

Selective doping of conformal GaAs layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates studied by spatially resolved optical techniques

Beteiligte:

Martinez, O. (Autor:in) / Avella, M. (Autor:in) / de la Puente, E. (Autor:in) / Gonzalez, M. A. (Autor:in) / Jimenez, J. (Autor:in) / Gerard, B. (Autor:in) / Gil-Lafon, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 80 ; 197 - 201

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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