Defects in undoped and Mg-doped GaN and AlxGa1-xN: Fid-Bau Portal

Defects in undoped and Mg-doped GaN and AlxGa1-xN

Meyer, B. K. / Hofmann, D. M. / Leiter, F. H. / Meister, D. / Topf, M. / Alves, H. / Romanov, N.

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Titel:

Defects in undoped and Mg-doped GaN and AlxGa1-xN

Beteiligte:

Meyer, B. K. (Autor:in) / Hofmann, D. M. (Autor:in) / Leiter, F. H. (Autor:in) / Meister, D. (Autor:in) / Topf, M. (Autor:in) / Alves, H. (Autor:in) / Romanov, N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 82 ; 77 - 81

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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