Atomic arrangements, electronic parameters, and electronic structures in modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs step quantum wells: Fid-Bau Portal

Atomic arrangements, electronic parameters, and electronic structures in modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs step quantum wells

Jung, M. / Kim, T. W.

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Titel:

Atomic arrangements, electronic parameters, and electronic structures in modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs step quantum wells

Beteiligte:

Jung, M. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 107 ; 176-180

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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