Defect controlled diffusion in the epitaxial growth of germanium on Si(1 0 0): Fid-Bau Portal

Defect controlled diffusion in the epitaxial growth of germanium on Si(1 0 0)

Berrie, C. L. / Liu, B. / Leone, S. R.

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Titel:

Defect controlled diffusion in the epitaxial growth of germanium on Si(1 0 0)

Beteiligte:

Berrie, C. L. (Autor:in) / Liu, B. (Autor:in) / Leone, S. R. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 175-176 ; 69-76

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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