Formation of metal disilicide layers contacting ion beam-synthesized, buried 3C-SiC layers in silicon: Fid-Bau Portal

Formation of metal disilicide layers contacting ion beam-synthesized, buried 3C-SiC layers in silicon

Lindner, J. K. / Wenzel, S. / Stritzker, B.

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Titel:

Formation of metal disilicide layers contacting ion beam-synthesized, buried 3C-SiC layers in silicon

Beteiligte:

Lindner, J. K. (Autor:in) / Wenzel, S. (Autor:in) / Stritzker, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 299-306

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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