Preparation and characterization of SiO2/6H-SiC metal-insulator-semiconductor structure using TEOS as source material: Fid-Bau Portal

Preparation and characterization of SiO2/6H-SiC metal-insulator-semiconductor structure using TEOS as source material

Kamimura, K. / Kobayashi, D. / Okada, S. / Mizuguchi, T. / Ryu, E. / Hayashibe, R. / Nagaune, F. / Onuma, Y.

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Titel:

Preparation and characterization of SiO2/6H-SiC metal-insulator-semiconductor structure using TEOS as source material

Beteiligte:

Kamimura, K. (Autor:in) / Kobayashi, D. (Autor:in) / Okada, S. (Autor:in) / Mizuguchi, T. (Autor:in) / Ryu, E. (Autor:in) / Hayashibe, R. (Autor:in) / Nagaune, F. (Autor:in) / Onuma, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 346-349

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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