Investigation of 4H-SiC Schottky diodes by ion beam induced charge (IBIC) technique: Fid-Bau Portal

Investigation of 4H-SiC Schottky diodes by ion beam induced charge (IBIC) technique

Manfredotti, C. / Fizzotti, F. / Lo Giudice, A. / Paolini, C. / Vittone, E. / Nava, F.

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Titel:

Investigation of 4H-SiC Schottky diodes by ion beam induced charge (IBIC) technique

Beteiligte:

Manfredotti, C. (Autor:in) / Fizzotti, F. (Autor:in) / Lo Giudice, A. (Autor:in) / Paolini, C. (Autor:in) / Vittone, E. (Autor:in) / Nava, F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 448-454

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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