Low-dimensional inverted Si/SiGe modulation-doped electron gases using selective ex-situ ion implantation: Fid-Bau Portal

Low-dimensional inverted Si/SiGe modulation-doped electron gases using selective ex-situ ion implantation

Paul, D. J. / Ahmed, A. / Churchill, A. C. / Robbins, D. J. / Leong, W. Y.

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Titel:

Low-dimensional inverted Si/SiGe modulation-doped electron gases using selective ex-situ ion implantation

Beteiligte:

Paul, D. J. ( Autor:in ) / Ahmed, A. ( Autor:in ) / Churchill, A. C. ( Autor:in ) / Robbins, D. J. ( Autor:in ) / Leong, W. Y. ( Autor:in )

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 111 - 115

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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