High resolution X-ray diffraction defect structure characterization in Si-doped and undoped GaN films: Fid-Bau Portal

High resolution X-ray diffraction defect structure characterization in Si-doped and undoped GaN films

Zielinska-Rohozinska, E. / Regulska, M. / Harutyunyan, V. S. / Paku&lz.shtsls / a, K. / Borowski, J.

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Titel:

High resolution X-ray diffraction defect structure characterization in Si-doped and undoped GaN films

Beteiligte:

Zielinska-Rohozinska, E. (Autor:in) / Regulska, M. (Autor:in) / Harutyunyan, V. S. (Autor:in) / Paku&lz.shtsls (Autor:in) / a, K. (Autor:in) / Borowski, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 91-92 ; 441 - 444

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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