Optimized P-Well Profile Preventing Punch-Through for 4H-SiC Power MOSFETs: Fid-Bau Portal

Optimized P-Well Profile Preventing Punch-Through for 4H-SiC Power MOSFETs

Shimoida, Y. / Kaneko, S. / Tanaka, H. / Hoshi, M.

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Titel:

Optimized P-Well Profile Preventing Punch-Through for 4H-SiC Power MOSFETs

Beteiligte:

Shimoida, Y. (Autor:in) / Kaneko, S. (Autor:in) / Tanaka, H. (Autor:in) / Hoshi, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1207-1210

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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