Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Influence of Trenching Effect on the Characteristics of Buried-Gate SiC Junction Field-Effect Transistors
Influence of Trenching Effect on the Characteristics of Buried-Gate SiC Junction Field-Effect Transistors
Influence of Trenching Effect on the Characteristics of Buried-Gate SiC Junction Field-Effect Transistors
Koo, S.-M. (Autor:in) / Lee, S.-K. (Autor:in) / Zetterling, C.-M. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in) / Forsberg, U. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)
MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1235-1238
01.01.2002
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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