Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance: Fid-Bau Portal

Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance

Na, H. J. / Kim, H. J. / Adachi, K. / Kiritani, N. / Tanimoto, S. / Okushi, H. / Arai, K.

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Titel:

Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance

Beteiligte:

Na, H. J. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Adachi, K. (Autor:in) / Kiritani, N. (Autor:in) / Tanimoto, S. (Autor:in) / Okushi, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1383-1386

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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