4H-SiC Planar MESFETs on High-Purity Semi-Insulating Substrates: Fid-Bau Portal

4H-SiC Planar MESFETs on High-Purity Semi-Insulating Substrates

Yim, J. H. / Song, H. K. / Moon, J. H. / Seo, H. S. / Lee, J. H. / Na, H. J. / Lee, J. B. / Kim, H. J.

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Yim, J. H. / Song, H. K. / Moon, J. H. / Seo, H. S. / Lee, J. H. / Na, H. J. / Lee, J. B. / Kim, H. J.

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Titel:

4H-SiC Planar MESFETs on High-Purity Semi-Insulating Substrates

Beteiligte:

Yim, J. H. (Autor:in) / Song, H. K. (Autor:in) / Moon, J. H. (Autor:in) / Seo, H. S. (Autor:in) / Lee, J. H. (Autor:in) / Na, H. J. (Autor:in) / Lee, J. B. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 763-766

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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