Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Influence of Epitaxial Layer on SiC Schottky Diode Gas Sensors Operated under High-Temperature Conditions

    Neue Suche nach: Nakagomi, S.
    Neue Suche nach: Shinobu, H.
    Neue Suche nach: Uneus, L.
    Neue Suche nach: Lundstrom, I.
    Neue Suche nach: Ekedahl, L.-G.
    Neue Suche nach: Yakimova, R.
    Neue Suche nach: Syvajarvi, M.
    Neue Suche nach: Henry, A.
    Neue Suche nach: Janzen, E.
    Neue Suche nach: Spetz, A. L.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Influence of Epitaxial Layer on SiC Schottky Diode Gas Sensors Operated under High-Temperature Conditions

    Neue Suche nach: Nakagomi, S.
    Neue Suche nach: Shinobu, H.
    Neue Suche nach: Uneus, L.
    Neue Suche nach: Lundstrom, I.
    Neue Suche nach: Ekedahl, L.-G.
    Neue Suche nach: Yakimova, R.
    Neue Suche nach: Syvajarvi, M.
    Neue Suche nach: Henry, A.
    Neue Suche nach: Janzen, E.
    Neue Suche nach: Spetz, A. L.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Influence of Epitaxial Layer on SiC Schottky Diode Gas Sensors Operated under High-Temperature Conditions

    Neue Suche nach: Nakagomi, S.
    Neue Suche nach: Shinobu, H.
    Neue Suche nach: Uneus, L.
    Neue Suche nach: Lundstrom, I.
    Neue Suche nach: Ekedahl, L.-G.
    Neue Suche nach: Yakimova, R.
    Neue Suche nach: Syvajarvi, M.
    Neue Suche nach: Henry, A.
    Neue Suche nach: Janzen, E.
    Neue Suche nach: Spetz, A. L.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Influence of Epitaxial Layer on SiC Schottky Diode Gas Sensors Operated under High-Temperature Conditions

    Beteiligte:

    Nakagomi, S. (Autor:in) / Shinobu, H. (Autor:in) / Uneus, L. (Autor:in) / Lundstrom, I. (Autor:in) / Ekedahl, L.-G. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Spetz, A. L. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1423-1426

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    SiC-Based Schottky Diode Gas Sensors

    Hunter, G. W. / Neudeck, P. G. / Chen, L.-Y. et al. | British Library Online Contents | 1998

    Optimisation of Epitaxial Layer Growth by Schottky Diodes Electrical Characterization

    La Via, F. / Galvagno, G. / Firrincieli, A. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Temperature-dependent barrier height in CdSe Schottky diode

    Tripathi, S. K. | British Library Online Contents | 2010

    Temperature Dependent Performance of GaN Schottky Diode Rectifiers

    Cao, X. A. / Dang, G. T. / Zhang, A. P. et al. | British Library Online Contents | 2000

    Pt Schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure

    Matsuo, K. / Negoro, N. / Kotani, J. et al. | British Library Online Contents | 2005

    Nach oben