High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Gate: Fid-Bau Portal

High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Gate

Sano, Y. / Mita, J. / Yamada, T. / Makita, T. / Kaifu, K. / Ishikawa, H. / Egawa, T. / Jimbo, T.

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Titel:

High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Gate

Beteiligte:

Sano, Y. (Autor:in) / Mita, J. (Autor:in) / Yamada, T. (Autor:in) / Makita, T. (Autor:in) / Kaifu, K. (Autor:in) / Ishikawa, H. (Autor:in) / Egawa, T. (Autor:in) / Jimbo, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1511-1514

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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