High CW Power 0.3 mum Gate AlGaN/GaN HEMTs Grown by MBE on Sapphire: Fid-Bau Portal

High CW Power 0.3 mum Gate AlGaN/GaN HEMTs Grown by MBE on Sapphire

Desmaris, V. / Eriksson, J. / Rorsman, N. / Zirath, H.

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Titel:

High CW Power 0.3 mum Gate AlGaN/GaN HEMTs Grown by MBE on Sapphire

Beteiligte:

Desmaris, V. (Autor:in) / Eriksson, J. (Autor:in) / Rorsman, N. (Autor:in) / Zirath, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1629-1632

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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