Dislocation Constraint by Etch-Back Process of Seed Crystal in SiC Bulk Crystal Growth: Fid-Bau Portal

Dislocation Constraint by Etch-Back Process of Seed Crystal in SiC Bulk Crystal Growth

Kato, T. / Oyanagi, N. / Kitou, Y. / Nishizawa, S. / Arai, K.

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Titel:

Dislocation Constraint by Etch-Back Process of Seed Crystal in SiC Bulk Crystal Growth

Beteiligte:

Kato, T. (Autor:in) / Oyanagi, N. (Autor:in) / Kitou, Y. (Autor:in) / Nishizawa, S. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 111-114

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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