Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Epitaxial Growth of (11&unknown;20) 4H-SiC Using Substrate Grown in the [11&unknown;20] Direction
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Kojima, K. (Autor:in) / Ohno, T. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Fujimoto, T. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Ohtani, N. (Autor:in) / Nishino, J. (Autor:in) / Masahara, K. (Autor:in) / Ishida, Y. (Autor:in)
MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 195-198
01.01.2002
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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