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    Titel:

    Oxidation-Induced Crystallographic Transformation in Heavily N-Doped 4H-SiC Wafers

    Beteiligte:

    Skromme, B. J. (Autor:in) / Palle, K. (Autor:in) / Poweleit, C. D. (Autor:in) / Bryant, L. R. (Autor:in) / Vetter, W. M. (Autor:in) / Dudley, M. (Autor:in) / Moore, K. (Autor:in) / Gehoski, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 455-458

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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