Radiation-Induced Defects in 4H- and 6H-SiC Epilayers Studied by Positron Annihilation and Deep-Level Transient Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Radiation-Induced Defects in 4H- and 6H-SiC Epilayers Studied by Positron Annihilation and Deep-Level Transient Spectroscopy

Kawasuso, A. / Weidner, M. / Redmann, F. / Frank, T. / Krause-Rehberg, R. / Pensl, G. / Sperr, P. / Triftshauser, W. / Itoh, H.

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Kawasuso, A. / Weidner, M. / Redmann, F. / Frank, T. / Krause-Rehberg, R. / Pensl, G. / Sperr, P. / Triftshauser, W. / Itoh, H.

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Titel:

Radiation-Induced Defects in 4H- and 6H-SiC Epilayers Studied by Positron Annihilation and Deep-Level Transient Spectroscopy

Beteiligte:

Kawasuso, A. (Autor:in) / Weidner, M. (Autor:in) / Redmann, F. (Autor:in) / Frank, T. (Autor:in) / Krause-Rehberg, R. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Sperr, P. (Autor:in) / Triftshauser, W. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 489-492

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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