Radiation-Induced Defects in p-Type Silicon Carbide: Fid-Bau Portal

Radiation-Induced Defects in p-Type Silicon Carbide

Kanazawa, S. / Okada, M. / Nozaki, T. / Shin, K. / Ishihara, S. / Kimura, I.

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Titel:

Radiation-Induced Defects in p-Type Silicon Carbide

Beteiligte:

Kanazawa, S. (Autor:in) / Okada, M. (Autor:in) / Nozaki, T. (Autor:in) / Shin, K. (Autor:in) / Ishihara, S. (Autor:in) / Kimura, I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 521-524

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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