Ion beam synthesis of GaN precipitates in GaAs: Fid-Bau Portal

Ion beam synthesis of GaN precipitates in GaAs

Amine, S. / Ben Assayag, G. / Bonafos, C. / de Mauduit, B. / Hidriss, H. / Claverie, A.

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Titel:

Ion beam synthesis of GaN precipitates in GaAs

Beteiligte:

Amine, S. (Autor:in) / Ben Assayag, G. (Autor:in) / Bonafos, C. (Autor:in) / de Mauduit, B. (Autor:in) / Hidriss, H. (Autor:in) / Claverie, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 10 - 14

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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