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    Titel:

    Localization effects in InGaAsN multi-quantum well structures

    Beteiligte:

    Hoffmann, A. (Autor:in) / Heitz, R. (Autor:in) / Kaschner, A. (Autor:in) / Luttgert, T. (Autor:in) / Born, H. (Autor:in) / Egorov, A. Y. (Autor:in) / Riechert, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 55 - 59

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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