Growth of GaN layers on SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

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Growth of GaN layers on SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy

Ristic, J. / Sanchez-Garcia, M. A. / Calleja, E. / Perez-Rodriguez, A. / Serre, C. / Romano-Rodriguez, A. / Morante, J. R. / Koegler, V. R. / Skorupa, W.

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Titel:

Growth of GaN layers on SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Ristic, J. (Autor:in) / Sanchez-Garcia, M. A. (Autor:in) / Calleja, E. (Autor:in) / Perez-Rodriguez, A. (Autor:in) / Serre, C. (Autor:in) / Romano-Rodriguez, A. (Autor:in) / Morante, J. R. (Autor:in) / Koegler, V. R. (Autor:in) / Skorupa, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 172 - 176

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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