Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 mm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images: Fid-Bau Portal

Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 mm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images

Ahmad, I. / Omar, A. / Hussain, A. / Mikdad, A.

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Titel:

Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 mm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images

Beteiligte:

Ahmad, I. (Autor:in) / Omar, A. (Autor:in) / Hussain, A. (Autor:in) / Mikdad, A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 191 ; 362-367

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)