Ce 4f States in CePd~2Si~2 and CeNi~2Si~2 Investigated by Resonant Photoemission Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Ce 4f States in CePd~2Si~2 and CeNi~2Si~2 Investigated by Resonant Photoemission Spectroscopy

Mimura, K. / Okabayashi, Y. / Mizohata, H. / Sakiyama, D. / Sakai, O. / Huo, D. / Sakurai, J. / Taguchi, Y. / Ichikawa, K. / Aita, O.

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Titel:

Ce 4f States in CePd~2Si~2 and CeNi~2Si~2 Investigated by Resonant Photoemission Spectroscopy

Beteiligte:

Mimura, K. (Autor:in) / Okabayashi, Y. (Autor:in) / Mizohata, H. (Autor:in) / Sakiyama, D. (Autor:in) / Sakai, O. (Autor:in) / Huo, D. (Autor:in) / Sakurai, J. (Autor:in) / Taguchi, Y. (Autor:in) / Ichikawa, K. (Autor:in) / Aita, O. (Autor:in)

Erschienen in:

SURFACE REVIEW AND LETTERS ; 9 ; 1035-1040

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0218-625X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 530.417

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