Self formation of Si nanostructured layer at the metal silicide/silicon interface: Fid-Bau Portal

Self formation of Si nanostructured layer at the metal silicide/silicon interface

Belousov, I. V. / Gorchinskiy, A. / Lytvyn, P. / Kuznetsov, G. / Popova, G. / Veblaya, T. / Zherebeskyy, D. / Lysko, O. / Vysokolyan, O. / Buzaneva, E.

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Belousov, I. V. / Gorchinskiy, A. / Lytvyn, P. / Kuznetsov, G. / Popova, G. / Veblaya, T. / Zherebeskyy, D. / Lysko, O. / Vysokolyan, O. / Buzaneva, E.

Self formation of Si nanostructured layer at the metal silicide/silicon interface

Belousov, I. V. / Gorchinskiy, A. / Lytvyn, P. / Kuznetsov, G. / Popova, G. / Veblaya, T. / Zherebeskyy, D. / Lysko, O. / Vysokolyan, O. / Buzaneva, E.

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Titel:

Self formation of Si nanostructured layer at the metal silicide/silicon interface

Beteiligte:

Belousov, I. V. (Autor:in) / Gorchinskiy, A. (Autor:in) / Lytvyn, P. (Autor:in) / Kuznetsov, G. (Autor:in) / Popova, G. (Autor:in) / Veblaya, T. (Autor:in) / Zherebeskyy, D. (Autor:in) / Lysko, O. (Autor:in) / Vysokolyan, O. (Autor:in) / Buzaneva, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 23 ; 181-186

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0928-4931

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 660

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