Integration of high dielectric Ba0.5Sr0.5TiO3 films into amorphous TaSiN barrier layer structures: Fid-Bau Portal

Integration of high dielectric Ba0.5Sr0.5TiO3 films into amorphous TaSiN barrier layer structures

Wenger, C. / Albert, M. / Adolphi, B. / Heuer, H. / Bartha, J. W. / Schlenkrich, F.

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Titel:

Integration of high dielectric Ba0.5Sr0.5TiO3 films into amorphous TaSiN barrier layer structures

Beteiligte:

Wenger, C. (Autor:in) / Albert, M. (Autor:in) / Adolphi, B. (Autor:in) / Heuer, H. (Autor:in) / Bartha, J. W. (Autor:in) / Schlenkrich, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 5 ; 233-236

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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