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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Raman study of gaseous bubble inclusions in bismuth germanate and bismuth germanium silicon oxide single crystals

    Beteiligte:

    Vaithianathan, V. (Autor:in) / Kesavamoorthy, R. (Autor:in) / Kannan, C. V. (Autor:in) / Santhanaraghavan, P. (Autor:in) / Ramasamy, P. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 18 ; 762-767

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2003

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0884-2914

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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