Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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BISMUTH GERMANIUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND BISMUTH GERMANIUM OXIDE LAYER
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bismuth germanium oxide (BGO) sputtering target for optical recording media, having bending strength more excellent than before, and a BGO layer.SOLUTION: The BGO sputtering target includes Bi atoms, germanium atoms and O atoms and has 0.4-0.57 of a ratio of Bi atoms to the total of Bi atoms and germanium atoms. A crystal structure has BiGeO, BiGeOor a combination thereof and further, preferably, includes C, Si, Sn, Pb, Ti, Zr, Ce, Th or combinations thereof. The bending strength is, preferably, 45 MPa or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】従来よりも優れた曲げ強度の光記録媒体用の酸化ビスマスゲルマニウム（ＢＧＯ）スパッタリングターゲット、並びにＢＧＯ層の提供。【解決手段】Ｂｉ原子とＧｅ原子とＯ原子とを含み、Ｂｉ原子とＧｅ原子の総数に対するＢｉ原子数の比が、０．４〜０．５７であるＢＧＯスパッタリングターゲット。結晶構造が、Ｂｉ２Ｇｅ３Ｏ９、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、またはそれらの組み合わせを有するＢＧＯスパッタリングターゲット。好ましくは、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｈ又はその組み合せを更に含むＢＧＯスパッタリングターゲット。好ましくは、曲げ強度が４５ＭＰａ以上である、ＢＧＯスパッタリングターゲット。【選択図】なし
BISMUTH GERMANIUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND BISMUTH GERMANIUM OXIDE LAYER
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bismuth germanium oxide (BGO) sputtering target for optical recording media, having bending strength more excellent than before, and a BGO layer.SOLUTION: The BGO sputtering target includes Bi atoms, germanium atoms and O atoms and has 0.4-0.57 of a ratio of Bi atoms to the total of Bi atoms and germanium atoms. A crystal structure has BiGeO, BiGeOor a combination thereof and further, preferably, includes C, Si, Sn, Pb, Ti, Zr, Ce, Th or combinations thereof. The bending strength is, preferably, 45 MPa or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】従来よりも優れた曲げ強度の光記録媒体用の酸化ビスマスゲルマニウム（ＢＧＯ）スパッタリングターゲット、並びにＢＧＯ層の提供。【解決手段】Ｂｉ原子とＧｅ原子とＯ原子とを含み、Ｂｉ原子とＧｅ原子の総数に対するＢｉ原子数の比が、０．４〜０．５７であるＢＧＯスパッタリングターゲット。結晶構造が、Ｂｉ２Ｇｅ３Ｏ９、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、またはそれらの組み合わせを有するＢＧＯスパッタリングターゲット。好ましくは、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｈ又はその組み合せを更に含むＢＧＯスパッタリングターゲット。好ましくは、曲げ強度が４５ＭＰａ以上である、ＢＧＯスパッタリングターゲット。【選択図】なし
BISMUTH GERMANIUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND BISMUTH GERMANIUM OXIDE LAYER
酸化ビスマスゲルマニウムスパッタリングターゲットと酸化ビスマスゲルマニウム層
HSIEH CHENG YEN (Autor:in) / MAI HUNG CHUAN (Autor:in) / HUANG WAN HSIN (Autor:in) / SU PAI YING (Autor:in) / TSAI MENG HUNG (Autor:in)
02.11.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Temperature Dependence of Drift Mobility in Bismuth Germanium Oxide and Bismuth Silicon Oxide
| British Library Online Contents | 1997
| British Library Online Contents | 2003
Frequency upconversion properties of Er3+/Yb3+-codoped lead-germanium-bismuth oxide glasses
| British Library Online Contents | 2006
| British Library Online Contents | 1993
| British Library Online Contents | 2016