Growth of high quality silicon carbide films by bias enhanced low-pressure HFCVD using methane: Fid-Bau Portal

Growth of high quality silicon carbide films by bias enhanced low-pressure HFCVD using methane

George, V. C. / Das, A. / Roy, M. / Dua, A. K. / Raj, P. / Zahn, D. R.

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Titel:

Growth of high quality silicon carbide films by bias enhanced low-pressure HFCVD using methane

Beteiligte:

George, V. C. (Autor:in) / Das, A. (Autor:in) / Roy, M. (Autor:in) / Dua, A. K. (Autor:in) / Raj, P. (Autor:in) / Zahn, D. R. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 287-290

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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