Electronic structure of transition metal high-k dielectrics: interfacial band offset energies for microelectronic devices: Fid-Bau Portal

Electronic structure of transition metal high-k dielectrics: interfacial band offset energies for microelectronic devices

Lucovsky, G. / Rayner Jr, G. B. / Zhang, Y. / Fulton, C. C. / Nemanich, R. J. / Appel, G. / Ade, H. / Whitten, J. L.

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Electronic structure of transition metal high-k dielectrics: interfacial band offset energies for microelectronic devices

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Titel:

Electronic structure of transition metal high-k dielectrics: interfacial band offset energies for microelectronic devices

Beteiligte:

Lucovsky, G. (Autor:in) / Rayner Jr, G. B. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Fulton, C. C. (Autor:in) / Nemanich, R. J. (Autor:in) / Appel, G. (Autor:in) / Ade, H. (Autor:in) / Whitten, J. L. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 563-569

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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