Mechanism of H2 pre-annealing on the growth of GaN on sapphire by MOVPE: Fid-Bau Portal

Mechanism of H2 pre-annealing on the growth of GaN on sapphire by MOVPE

Tsuda, M. / Watanabe, K. / Kamiyama, S. / Amano, H. / Akasaki, I. / Liu, R. / Bell, A. / A. Ponce, F.

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Titel:

Mechanism of H2 pre-annealing on the growth of GaN on sapphire by MOVPE

Beteiligte:

Tsuda, M. (Autor:in) / Watanabe, K. (Autor:in) / Kamiyama, S. (Autor:in) / Amano, H. (Autor:in) / Akasaki, I. (Autor:in) / Liu, R. (Autor:in) / Bell, A. (Autor:in) / A. Ponce, F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 216 ; 585-589

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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