Type and charge states of point defects in heavily As- and B-doped silicon: Fid-Bau Portal

Type and charge states of point defects in heavily As- and B-doped silicon

Nakabayashi, Y. / Osman, H. I. / Yokota, K. / Toyonaga, K. / Matsumoto, S. / Murota, J. / Wada, K. / Abe, T.

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Titel:

Type and charge states of point defects in heavily As- and B-doped silicon

Beteiligte:

Nakabayashi, Y. (Autor:in) / Osman, H. I. (Autor:in) / Yokota, K. (Autor:in) / Toyonaga, K. (Autor:in) / Matsumoto, S. (Autor:in) / Murota, J. (Autor:in) / Wada, K. (Autor:in) / Abe, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 15-19

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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