Predictive use of ab initio MO methods in PDECB-based approach to low-temperature epitaxy of stoichiometric group-III nitrides: Fid-Bau Portal

Predictive use of ab initio MO methods in PDECB-based approach to low-temperature epitaxy of stoichiometric group-III nitrides

Hayashi, K. / Kanayama, T. / Kojima, H. / Omote, N. / Shimizu, T.

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Titel:

Predictive use of ab initio MO methods in PDECB-based approach to low-temperature epitaxy of stoichiometric group-III nitrides

Beteiligte:

Hayashi, K. (Autor:in) / Kanayama, T. (Autor:in) / Kojima, H. (Autor:in) / Omote, N. (Autor:in) / Shimizu, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 159-164

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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