Sublimation-Grown Semi-Insulating SiC for High Frequency Devices: Fid-Bau Portal

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Sublimation-Grown Semi-Insulating SiC for High Frequency Devices

Muller, S. G. / Brady, M. F. / Brixius, W. H. / Glass, R. C. / Hobgood, H. M. / Jenny, J. R. / Leonard, R. T. / Malta, D. P. / Powell, A. R. / Tsvetkov, V. F.

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Muller, S. G. / Brady, M. F. / Brixius, W. H. / Glass, R. C. / Hobgood, H. M. / Jenny, J. R. / Leonard, R. T. / Malta, D. P. / Powell, A. R. / Tsvetkov, V. F.

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Titel:

Sublimation-Grown Semi-Insulating SiC for High Frequency Devices

Beteiligte:

Muller, S. G. (Autor:in) / Brady, M. F. (Autor:in) / Brixius, W. H. (Autor:in) / Glass, R. C. (Autor:in) / Hobgood, H. M. (Autor:in) / Jenny, J. R. (Autor:in) / Leonard, R. T. (Autor:in) / Malta, D. P. (Autor:in) / Powell, A. R. (Autor:in) / Tsvetkov, V. F. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 39-44

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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