High Purity and Semi-Insulating 4H-SiC Crystals Grown by Physical Vapor Transport: Fid-Bau Portal

High Purity and Semi-Insulating 4H-SiC Crystals Grown by Physical Vapor Transport

Augustine, G. / Hobgood, H. M. / Balakrishna, V. / Dunne, G. T. / Hopkins, R. H. / Thomas, R. N. / Doolittle, W. A. / Rohatgi, A.

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Titel:

High Purity and Semi-Insulating 4H-SiC Crystals Grown by Physical Vapor Transport

Beteiligte:

Augustine, G. (Autor:in) / Hobgood, H. M. (Autor:in) / Balakrishna, V. (Autor:in) / Dunne, G. T. (Autor:in) / Hopkins, R. H. (Autor:in) / Thomas, R. N. (Autor:in) / Doolittle, W. A. (Autor:in) / Rohatgi, A. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 9-12

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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