Stacking Fault Formation in Highly Doped 4H-SiC Epilayers during Annealing: Fid-Bau Portal

Stacking Fault Formation in Highly Doped 4H-SiC Epilayers during Annealing

Chung, H. J. / Liu, J.-Q. / Henry, A. / Skowronski, M.

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Titel:

Stacking Fault Formation in Highly Doped 4H-SiC Epilayers during Annealing

Beteiligte:

Chung, H. J. (Autor:in) / Liu, J.-Q. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 253-256

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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