Breakdown Electric Field in 4H-SiC Epitaxial Layer Grown on Various Net-Doping Substrates: Fid-Bau Portal

Breakdown Electric Field in 4H-SiC Epitaxial Layer Grown on Various Net-Doping Substrates

Ono, R. / Fujimaki, M. / Hon-Joo, N. / Tanimoto, S. / Shinohe, T. / Yatsuo, T. / Okushi, H. / Arai, K.

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Titel:

Breakdown Electric Field in 4H-SiC Epitaxial Layer Grown on Various Net-Doping Substrates

Beteiligte:

Ono, R. (Autor:in) / Fujimaki, M. (Autor:in) / Hon-Joo, N. (Autor:in) / Tanimoto, S. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Okushi, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 435-438

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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