Vacancy-Type Defect Distributions of ^1^1B-, ^1^4N- and ^2^7Al-Implanted 4H-SiC Studied by Positron Annihilation Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Vacancy-Type Defect Distributions of ^1^1B-, ^1^4N- and ^2^7Al-Implanted 4H-SiC Studied by Positron Annihilation Spectroscopy

Janson, M. S. / Slotte, J. / Kuznetsov, A. Y. / Saarinen, K. / Hallen, A.

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Titel:

Vacancy-Type Defect Distributions of ^1^1B-, ^1^4N- and ^2^7Al-Implanted 4H-SiC Studied by Positron Annihilation Spectroscopy

Beteiligte:

Janson, M. S. (Autor:in) / Slotte, J. (Autor:in) / Kuznetsov, A. Y. (Autor:in) / Saarinen, K. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 641-644

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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