Single Material Ohmic Contacts Simultaneously Formed on the Source/P-Well/Gate of 4H-SiC Vertical MOSFETs: Fid-Bau Portal

Single Material Ohmic Contacts Simultaneously Formed on the Source/P-Well/Gate of 4H-SiC Vertical MOSFETs

Kiritani, N. / Hoshi, M. / Tanimoto, S. / Adachi, K. / Nishizawa, S.-i. / Yatsuo, T. / Okushi, H. / Arai, K.

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Titel:

Single Material Ohmic Contacts Simultaneously Formed on the Source/P-Well/Gate of 4H-SiC Vertical MOSFETs

Beteiligte:

Kiritani, N. (Autor:in) / Hoshi, M. (Autor:in) / Tanimoto, S. (Autor:in) / Adachi, K. (Autor:in) / Nishizawa, S.-i. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Okushi, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 669-672

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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