Characteristics of Ni Schottky Contacts on Compensated 4H-SiC Layers: Fid-Bau Portal

Characteristics of Ni Schottky Contacts on Compensated 4H-SiC Layers

Kasamakova-Kolaklieva, L. / Yakimova, R. / Kakanakov, R. / Kakanakova-Georgieva, A. / Syvajarvi, M. / Janzen, E.

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Titel:

Characteristics of Ni Schottky Contacts on Compensated 4H-SiC Layers

Beteiligte:

Kasamakova-Kolaklieva, L. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Kakanakov, R. (Autor:in) / Kakanakova-Georgieva, A. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 709-712

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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